元器件采购网 > P-513页 > 晶体管(BJT) - 阵列PBSS2515VS,115

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PBSS2515VS,115

SOT-563,SOT-666 NXP Semiconductors
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PBSS2515VS,115参数
产品类别:分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列
说明:TRANS NPN 15V 1000MA SOT666
包装数量:4000
包装形式:带卷 (TR)
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晶体管类型:2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):15V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):150 @ 100mA,2V
功率 - 最大:200mW
频率 - 转换:420MHz
安装类型:表面贴装

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